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申请/专利权人：芯百特微电子(无锡)有限公司
摘要：本发明涉及一种ESD保护陷波电路和放大器，双向PIN对管包括N+型衬底和分别靠近于N+型衬底的两边生长的两个I‑型中间层；两个所述I‑型中间层之间绝缘；在所述I‑型中间层上生长有P+型顶层；在所述P+型顶层上设置有P‑型接触层。基于此双向PIN对管，将ESD保护电路和陷波电路集成在一起，可以同时实现ESD防护和对特定频段信号的陷波抑制。基于这样的ESD保护陷波电路，本发明所公开的放大器，是带阻带抑制功能的旁路低噪声放大器，在小尺寸芯片面积上实现了高静电防护能力、高陷波抑制和低噪声系数。
主权项：1.一种ESD保护陷波电路，其特征在于：包括双向PIN对管、第一电容和第一电感；所述双向PIN对管的两端分别连接第一电容的两端；所述第一电感的第一端连接所述双向PIN对管和所述第一电容的第一公共端，所述第一电感的第二端接地；所述双向PIN对管和所述第一电容的第二公共端为所述ESD保护陷波电路的输入端；所述双向PIN对管包括N+型衬底和分别靠近于N+型衬底的两边生长的两个I-型中间层；两个所述I-型中间层之间绝缘；在所述I-型中间层上生长有P+型顶层；在所述P+型顶层上设置有P-型接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯百特微电子(无锡)有限公司 ESD保护陷波电路和放大器
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