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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属太阳能电池领域，公开了一种Au纳米颗粒修饰TiO2纳米管陷光结构及其砷化镓肖特基结太阳能电池和制备方法。该太阳能电池自下而上包括背面电极、n型GaAs衬底、绝缘层、正面电极，所述绝缘层和正面电极依次在所述n型GaAs衬底的四周，使所述n型GaAs衬底保留有窗口层，所述窗口层上依次制备有石墨烯层和减反射层，所述减发射层为Au纳米颗粒修饰TiO2纳米管阵列结构。采用顶窗设计结构，用热蒸镀法结合阳极氧化法制备得到的TiO2纳米管阵列结构能显著提高光源利用率，提升器件的光电转换效率，另外，用Au纳米颗粒加以修饰，通过表面等离子激元效应，能有效增强器件的光吸收效率。
主权项：1.一种Au纳米颗粒修饰TiO2纳米管陷光结构，其特征在于，由以下制备方法制备得到：步骤1.在GaAs石墨烯肖特基结太阳能电池窗口层上的石墨烯层表面蒸镀一层Ti；步骤2.在以铂箔为阴极，以GaAs衬底为阳极的双电极电化学池中，在恒定电位下进行阳极氧化，在NH4F甘油溶液或乙二醇溶液中生长出TiO2纳米管阵列结构6，得到具有TiO2纳米管阵列结构6的GaAs石墨烯肖特基结太阳能电池；步骤3.将步骤2具有TiO2纳米管阵列结构6的GaAs石墨烯肖特基结太阳能电池浸泡于HAuCl4溶液中，用氙灯作为光源进行照射，在所述TiO2纳米管阵列结构6上将Au3+还原成Au纳米颗粒7，经真空干燥，得到Au纳米颗粒修饰TiO2纳米管陷光结构；步骤2中阳极氧化条件如下：控制电压为20～30V，在室温下通电反应时间为500～800s；步骤2中所述TiO2纳米管阵列结构6的单根纳米管内径为20～40nm，厚度为130～170nm。
全文数据：
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