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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种具有倾斜肖特基接触的低势垒肖特基二极管，包括自下而上依次设置的阴极、欧姆接触层、n+型4H‑SiC衬底、n型4H‑SiC漂移层和n型4H‑SiC沟道层，其中，n型4H‑SiC沟道层设置在有源区且上表面形成有多个浅p结；浅p结之间具有倒凸字形凹槽，边缘具有半倒凸字形凹槽，在半倒凸字形凹槽和倒凸字形凹槽的下半部边缘及底部具有深P+区；n型4H‑SiC沟道层、浅p结和深P+区上表面覆盖有肖特基接触层和阳极；终端区凹槽的底部设置有JTE终端区，在JTE终端区上设置有介质层和钝化层。本发明拓宽了肖特基接触区的面积和深p+区的深度，在基于低势垒金属接触情况下，能够平衡开启电压和漏电流、导通电阻的关系，增强器件综合性能。
主权项：1.一种具有倾斜肖特基接触的低势垒肖特基二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的阴极13、欧姆接触层10、n+型4H-SiC衬底1、n型4H-SiC漂移层2和n型4H-SiC沟道层3，其中，所述低势垒肖特基二极管分为有源区和位于边缘的终端区，所述n型4H-SiC沟道层3位于所述有源区，且所述n型4H-SiC沟道层3的上表面具有多个浅p结4；所述浅p结4之间具有倒凸字形凹槽5，所述浅p结4边缘具有半倒凸字形凹槽，所述倒凸字形凹槽5和所述半倒凸字形凹槽均从所述n型4H-SiC沟道层3上表面延伸至所述n型4H-SiC漂移层2的上表面或内部，且均位于所述有源区；所述半倒凸字形凹槽和所述倒凸字形凹槽5的下半部分边缘以及底部形成有阶梯状的深P+区7；所述n型4H-SiC沟道层3、所述浅p结4和所述深P+区7上表面依次覆盖有肖特基接触层11和阳极12；所述终端区包括延伸至所述n型4H-SiC漂移层2的上表面或内部的终端区凹槽6，所述终端区凹槽6的底部设置有JTE终端区8，所述JTE终端区8上设置有所述介质层9，所述介质层9的上表面和所述阳极12的边缘覆盖有钝化层14。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 具有倾斜肖特基接触的低势垒肖特基二极管及其制备方法
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