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申请/专利权人：海信视像科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法，肖特基势垒二极管包括：衬底、第一电极结构层、半导体结构层和第二电极结构层；第一电极结构层包括与半导体结构层相邻的第一电极层，第二电极结构层包括与半导体结构层相邻的第二电极层，半导体结构层包括：第一半导体层和第二半导体层；第一半导体层和第二半导体层的材料均为铟铝锌氧化物，第一半导体层和第二半导体层中铝元素的比例不同；半导体结构层中的一个半导体层与相邻的电极层形成肖特基接触，另一个半导体层与相邻的电极层形成欧姆接触，分别对双层半导体层进行调节，可以提高对应接触面的接触质量，有利于提升器件的性能。
主权项：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底；第一电极结构层，位于所述衬底之上；所述第一电极结构层包括第一电极层；半导体结构层，位于所述第一电极层背离所述衬底的一侧；第二电极结构层，所述第二电极结构层包括第二电极层，所述第二电极层位于所述半导体结构层背离所述第一电极结构层的一侧；所述半导体结构层包括：第一半导体层，位于所述第一电极层背离所述衬底的一侧；第二半导体层，位于所述第一半导体层背离所述第一电极层的一侧；所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料均为铟铝锌氧化物，所述第一半导体层和所述第二半导体层中铝元素的比例不同；所述半导体结构层中的一个半导体层与相邻的电极层形成肖特基接触，另一个半导体层与相邻的电极层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海信视像科技股份有限公司 一种肖特基势垒二极管及其制作方法
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