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申请/专利权人:联华电子股份有限公司
摘要:本发明公开一种互连结构的制作方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有第一介电层,所述第一介电层中具有第一导体;在所述第一介电层上形成第二介电层;在所述第二介电层中形成沟槽以暴露所述第一导体的顶面;以及对所述第一导体的顶面进行退火工艺,其条件包括400~450℃的退火温度,持续时间少于5分钟,以及包含氢气和氮气的气体环境。
主权项:1.一种互连结构的制作方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有第一介电层,所述第一介电层中具有第一导体;在所述第一介电层上形成第二介电层;在所述第二介电层中形成沟槽以暴露所述第一导体的顶面;以及对所述第一导体的顶面进行退火工艺,其条件包括400~450℃的退火温度,持续时间少于5分钟,以及包含氢气和氮气的气体环境。
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权利要求:
百度查询: 联华电子股份有限公司 互连结构的制作方法
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