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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先提供一基底包含一中压区以及一低压区，然后形成一第一栅极结构于该中压区以及一第二栅极结构于该低压区，形成一图案化掩模于该中压区，其中该图案化掩模覆盖该第一栅极结构以及该第二栅极结构并暴露该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的该基底，之后再形成第一外延层于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。
主权项：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：提供基底包含中压区以及低压区；形成第一栅极结构于该中压区以及第二栅极结构于该低压区；形成图案化掩模于该中压区，其中该图案化掩模覆盖该第一栅极结构以及该第二栅极结构并暴露该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的该基底；以及形成第一外延层于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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