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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件可以包括：第一存取线，所述第一存取线沿第一方向延伸；第二存取线，所述第二存取线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；以及存储单元，所述存储单元连接在第一存取线与第二存取线之间并且包括电极，所述电极在其中包括电介质阻障。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一存取线，所述第一存取线沿第一方向延伸；第二存取线，所述第二存取线沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及存储单元，所述存储单元连接在所述第一存取线与所述第二存取线之间并且包括电极，所述电极在其中包括电介质阻障。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体器件以及半导体器件的制造方法
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