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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有阵列排布的多个接触孔和限定多个接触孔的限定结构，限定结构包括位于至少两个相邻的接触孔之间的第一限定部，第一限定部的材料为具有固有空隙的介质材料；对限定结构进行第一刻蚀工艺，以扩大接触孔的开口，其中，在第一刻蚀工艺中，第一限定部在至少两个相邻的接触孔的排列方向上的尺寸减小；形成覆盖第一限定部的侧壁的补偿介质层；以及在接触孔中形成第一接触插塞。本公开实施例有利于提高形成的半导体结构的良率。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有阵列排布的多个接触孔和限定所述多个接触孔的限定结构，所述限定结构包括位于至少两个相邻的接触孔之间的第一限定部，所述第一限定部的材料为具有固有空隙的介质材料；对所述限定结构进行第一刻蚀工艺，以扩大所述接触孔的开口，其中，在所述第一刻蚀工艺中，所述第一限定部在所述至少两个相邻的接触孔的排列方向上的尺寸减小；形成覆盖所述第一限定部的侧壁的补偿介质层；以及在所述接触孔中形成第一接触插塞。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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