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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明描述了用于形成配置为防止外扩散的钴原子迁移至上部金属化层中的覆盖层的方法。在一些实施例中，方法包括：在包括钌的无衬垫导电结构上沉积钴扩散阻挡层，其中，沉积钴扩散阻挡层包括形成与无衬垫导电结构自对准的钴扩散阻挡层。方法还包括：在钴扩散阻挡层上沉积具有蚀刻停止层和介电层的堆叠件；以及在堆叠件中形成开口以暴露钴扩散阻挡层。最后，方法包括：在钴扩散阻挡层上形成导电结构。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：衬底；第一金属化层，位于所述衬底上，其中，所述第一金属化层包括无衬垫导电结构，所述无衬垫导电结构的第一部分由电介质围绕且与所述电介质物理接触，所述无衬垫导电结构的第二部分由金属围绕；覆盖层，位于所述无衬垫导电结构的顶面上；以及第二金属化层，位于所述第一金属化层上，并且包括所述无衬垫导电结构上的导电结构，其中，所述覆盖层介于所述无衬垫导电结构的所述顶面和所述导电结构的底面之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构和形成半导体结构的方法
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