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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有介电层以及掩埋于所述介电层中的光波导层；在所述衬底中形成位于所述光波导层底部的光耦合调节介质，所述光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率。本发明在光波导层底部形成光耦合调节介质，由于光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率，因此光耦合调节介质有利于减少光在传播过程经衬底的耦合，相应地有利于降低光在波导传播过程中的损耗，从而提高光的耦合效率，进而提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；介电层，位于所述衬底上；光波导层，掩埋于所述介电层中；光耦合调节介质，位于所述光波导层底部的衬底中，所述光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率。
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