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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,所述衬底上形成有波导层;在所述衬底上形成覆盖所述波导层的介电层、以及掩埋于所述介电层中的加热器件,所述加热器件位于所述波导层的顶部上方;在所述衬底中形成位于所述波导层底部的防热扩散介质,所述防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率。本发明在加热器件底部形成防热扩散介质,由于防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率,因此防热扩散介质有利于抑制加热器所产生热量的扩散,相应有利于降低加热器所产生的热量经衬底耗散的概率,从而提高了加热器的发热效率,使得所述加热器能够更好地对波导层加热,进而降低了半导体结构的功耗。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底;波导层,位于所述衬底上;介电层,位于所述衬底上且覆盖所述波导层;加热器件,掩埋于所述介电层中且位于所述波导层的顶部上方;防热扩散介质,位于所述波导层底部的衬底中,所述防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率。
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