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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构的制作方法包括提供一基底，该基底包括一逻辑元件区以及一存储器元件区，接着于该基底上形成一第一介电层，再于该存储器元件区的该第一介电层上形成多个存储器堆叠结构，然后形成一绝缘层共型地覆盖该些存储器堆叠结构以及该第一介电层，之后进行一回蚀刻制作工艺以蚀刻移除部分该绝缘层，但不显露出任一该存储器堆叠结构。回蚀刻制作工艺之后，形成一第二介电层，填满该些存储器堆叠结构之间的间隙。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，包括:提供基底，包括逻辑元件区以及存储器元件区；在该基底上形成第一介电层；在该存储器元件区的该第一介电层上形成多个存储器堆叠结构；形成单层的绝缘层，直接地且共型地覆盖该些存储器堆叠结构以及该第一介电层；进行回蚀刻制作工艺以蚀刻移除部分该绝缘层，但不显露出任一该存储器堆叠结构和该第一介电层；形成第二介电层，填满该些存储器堆叠结构之间的间隙；对该第二介电层进行第一化学机械研磨制作工艺；在该逻辑元件区的该第二介电层中形成开口；在该第二介电层上形成导电材料填满该开口；进行第二化学机械研磨制作工艺以移除该开口外的该导电材料，并显露出该些存储器堆叠结构的顶面上的该绝缘层，使剩余在该开口内的该导电材料形成第一内连线结构，其中该第一内连线结构的顶面、该第二介电层的顶面和该绝缘层的顶面齐平，且该第一内连线结构的该顶面高于该些存储器堆叠结构的顶面；在该第二介电层上形成第三介电层；以及在该第三介电层中形成多个第二内连线结构和第三内连线结构，其中各该第二内连线结构对准在一该存储器堆叠结构的上方，贯穿该绝缘层并与一该存储器堆叠结构直接接触，该第三内连线结构对准在该第一内连线结构上方并且与该第一内连线结构直接接触。
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百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作方法
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