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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，衬底包括有源区；有源区用于形成存储单元和LDMOS；有源区位于隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；栅极结构包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部。半导体器件将存储单元和LDMOS器件集成在同一衬底上，形成可存储的高压功率器件。存储单元的浮栅和LDMOS的槽栅连接为一体且为单层栅极结构，含有隧穿氧化层结构，通过带带隧穿的方式编程，通过存储单元的浮栅与LDMOS的槽栅相连从而控制LDMOS的开关状态。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区用于形成存储单元和LDMOS；所述有源区中形成有隔离结构，所述有源区位于所述隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；所述第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；所述第一导电类型漂移区中形成有所述LDMOS的源区和漏区；栅极结构，所述栅极结构包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，所述栅极横向部覆盖所述隧穿氧化层和所述场氧化层，所述栅极纵向部位于所述隔离结构的沟槽中，所述栅极纵向部作为所述LDMOS的槽栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制作方法
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