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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供第一介质层；于第一介质层内形成第一窗口；于第一窗口内形成第一连通结构；于第一介质层上形成第二介质层，第二介质层具有第二窗口，第二窗口至少显露部分第一连通结构；于第二窗口的侧壁及底部形成第一阻挡层，第一阻挡层包括开口，开口显露第一连通结构；于第二窗口内形成第二连通结构。上述半导体器件的制备方法不仅能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，而且能提高第一连通结构与第二连通结构之间的电传导效率，提高器件性能。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一介质层；于所述第一介质层内形成第一窗口；于所述第一窗口内形成第一连通结构；于所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层具有第二窗口，所述第二窗口至少显露部分所述第一连通结构；于所述第二窗口的侧壁及底部形成第一阻挡层，所述第一阻挡层包括开口，所述开口显露所述第一连通结构；于所述第二窗口内形成第二连通结构；所述第一连通结构包括起边，所述起边形成于所述第一连通结构与所述第一介质层的交界处，以使所述第一阻挡层包括所述开口；所述起边是所述第一连通结构上表面的边缘的凸出部分，所述凸出部分位于所述第一介质层的上方而且与所述第一介质层之间具有间隙，所述凸出部分与所述第一介质层具有重叠区域。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制备方法
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