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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种非对称势垒有源区808nm半导体激光器外延片及制备方法，属于光电子技术领域，由下自上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaAsN限制层、AlGaAsN波导层、InGaAsPN势垒层、InGaAsP量子阱层、GaAsPP势垒层、Alx5Ga1‑x5AsP分级波导层、AlGaAsP限制层和GaAs帽层；本发明在InGaAsPInGaAsPGaAsP非对称势垒有源区结构基础上，结合P波导Al组分梯度分级分布，增加波导层与限制层的折射率差，降低了光场损耗，提高了光学限制因子，加强了波导层的光学限制能力，将光场集中在有源区中。
主权项：1.一种非对称势垒有源区808nm半导体激光器外延片，其特征在于，由下自上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Alx1Ga1-x1AsN限制层、Alx2Ga1-x2AsN波导层、Inx3Ga1-x3Asy1P1-y1N势垒层、Inx4Ga1-x4Asy2P1-y2量子阱层、GaAsy3P1-y3P势垒层、Alx5Ga1-x5AsP分级波导层、Alx6Ga1-x6AsP限制层和GaAs帽层；Inx3Ga1-x3Asy1P1-y1N势垒层与GaAsy3P1-y3P势垒层为非对称，所述Alx5Ga1-x5AsP分级波导层为Al组分渐变结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种非对称势垒有源区808nm半导体激光器外延片及制备方法
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