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一种肖特基势垒二极管及其制作方法 

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申请/专利权人:海信视像科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法,肖特基势垒二极管包括:衬底;第一电极层,包括相邻的第一区域和第二区域,第一区域的厚度大于第二区域的厚度;第一电极层的第二区域之上的半导体结构层,包括相邻的第三区域和第四区域,第三区域的厚度大于第四区域的厚度;半导体结构层第三区域的侧壁与第一电极层第一区域的侧壁接触;半导体结构层的第四区域之上的第二电极层;半导体结构层与一侧的电极层形成肖特基接触,与另一侧的电极层形成欧姆接触;半导体结构层的材料包括铟铝锌氧化物,从而可以使肖特基势垒二极管具有较好的电学性能和稳定性,且非垂直的器件结构有利于减小肖特基势垒二极管的体积,使之适用于更多样化的电路中。

主权项:1.一种肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:衬底;第一电极层,位于所述衬底之上;所述第一电极层包括相邻的第一区域和第二区域,所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度;半导体结构层,位于所述第一电极层的第二区域之上;所述半导体结构层包括相邻的第三区域和第四区域,所述第三区域的厚度大于所述第四区域的厚度;所述半导体结构层的第三区域的侧壁与所述第一电极层的第一区域的侧壁接触;第二电极层,位于所述半导体结构层的第四区域之上;其中,所述半导体结构层与一侧的电极层形成肖特基接触,与另一侧的电极层形成欧姆接触;所述半导体结构层的材料包括铟铝锌氧化物。

全文数据:

权利要求:

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