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申请/专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种GaN肖特基势垒二极管的工艺参数优化方法、介质及系统，属于GaN肖特基势垒二极管技术领域，包括：构建GaN肖特基势垒二极管的器件性能指标体系；建立GaN外延层生长过程中工艺参数对器件性能指标的定量关系模型；建立多目标模型，包括的多目标分别是开启电压、开启电流、漏电流、导通电阻和截止特性；求解得到工艺参数解；建立GaN肖特基势垒二极管仿真模型，并基于该仿真模型得到二极管的漏电流特性指数和耐压特性指数。评估所述仿真模型预测的漏电流特性指数和耐压特性指数是否满足预先设定的设计要求，如果不满足，则对所述多目标模型进行优化，直到满足预先设定的设计要求；输出工艺参数。
主权项：1.一种GaN肖特基势垒二极管的工艺参数优化方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、构建GaN肖特基势垒二极管的器件性能指标体系；S20、建立GaN外延层生长过程中工艺参数对器件性能指标的定量关系模型；S30、建立多目标模型，包括的多目标分别是开启电压、开启电流、漏电流、导通电阻和截止特性；S40、采用遗传算法求解所述多目标模型，得到工艺参数解；S50、基于所述工艺参数解，建立GaN肖特基势垒二极管仿真模型，并基于该仿真模型得到二极管的漏电流特性指数和耐压特性指数；S60、评估所述仿真模型预测的漏电流特性指数和耐压特性指数是否满足预先设定的设计要求，如果不满足，则采用贝叶斯优化算法基于所述预先设定的设计要求对所述多目标模型进行优化，并重复执行步骤S40～S60，直到所述仿真模型预测的漏电流特性指数和耐压特性指数满足预先设定的设计要求；S70、以步骤S60最后一次执行得到的工艺参数解作为目标工艺参数，并输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛佳恩半导体有限公司 一种GaN肖特基势垒二极管的工艺参数优化方法、介质及系统
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