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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种光刻工艺监控方法以及系统。所述方法包括：提供光刻机、晶圆装载器以及工艺菜单；将监控批次测试晶圆传送至光刻机的第一工作槽完成第一工艺；将监控批次测试晶圆传送至光刻机的第二工作槽但不执行第二工艺，并将正常批次产品晶圆传送至第一工作槽完成第一工艺；将监控批次测试晶圆移出第二工作槽，并将正常批次产品晶圆传送至第二工作槽完成第二工艺；将监控批次测试晶圆传送回晶圆装载器，之后将正常批次产品晶圆传送回晶圆装载器。本发明通过优化光刻工艺监控方案，能够在对只需测光刻胶厚度的监控批次测试晶圆进行光刻工艺监控时，避免后续正常批次产品晶圆的等待，提高每小时产出晶圆数，从而提升机台效率。
主权项：1.一种光刻工艺监控方法，其特征在于，包括：提供光刻机、晶圆装载器以及工艺菜单，所述工艺菜单包括根据先进先出原则依次将监控批次测试晶圆与正常批次产品晶圆传送至光刻机的不同工作槽以执行相应工艺；将所述监控批次测试晶圆传送至所述光刻机的第一工作槽完成第一工艺；将所述监控批次测试晶圆传送至所述光刻机的第二工作槽但不执行第二工艺，并将所述正常批次产品晶圆传送至所述第一工作槽完成所述第一工艺；将所述监控批次测试晶圆移出所述第二工作槽，并将所述正常批次产品晶圆传送至所述第二工作槽完成所述第二工艺；以及将所述监控批次测试晶圆传送回所述晶圆装载器，之后将所述正常批次产品晶圆传送回所述晶圆装载器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 光刻工艺监控方法及系统
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