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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所

摘要：本申请提供一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底上依次制备圆形化栅极层、栅介质层、圆形化半导体层、圆环化势垒调控层、边界轮廓圆形化的源极层、钝化层、漏极走线层和与源极层电性连接的源极走线层，其中，栅极层、半导体层、势垒调控层与源极层圆心重合，半导体层的未被源极层和势垒调控层覆盖的导体化膜层部位将作为漏极区与漏极走线层电性连接，源极层与半导体层的部分半导体膜层部位直接接触形成欧姆准欧姆接触，并间隔势垒调控层与另一部分半导体膜层部位形成肖特基势垒。

主权项：1.一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一基底；在所述基底的一侧依次层叠制备栅极层、栅介质层和半导体层，得到第一阶段器件，其中所述栅介质层覆盖所述栅极层，所述半导体层在所述基底上的投影区域处于所述栅极层在所述基底上的投影区域内，所述半导体层与所述栅极层各自对应的投影区域均为圆形且圆心重合；在所述第一阶段器件所包括的半导体层上层叠制备势垒调控层和源极层，得到第二阶段器件，其中所述势垒调控层在所述基底上的投影区域为圆环形且处于所述半导体层所对应的投影区域内；所述源极层覆盖所述半导体层的未被所述势垒调控层覆盖的第一外侧表面或第二外侧表面，并且至少部分覆盖所述势垒调控层，其中所述第一外侧表面在所述基底上的投影区域位于所述第二外侧表面在所述基底上的投影区域内侧，所述源极层在所述基底上的投影区域的边界轮廓为圆形，所述半导体层、所述势垒调控层与所述源极层各自对应的投影区域圆心重合；对所述第二阶段器件所包括的半导体层的未被所述源极层和所述势垒调控层覆盖的膜层部位进行导体化，以将所述半导体层划分为导体化膜层部位和半导体膜层部位，并在所述第二阶段器件的远离所述基底的外侧表面上沉积钝化层，其中所述导体化膜层部位用于作为所述圆形肖特基势垒薄膜晶体管的漏极区，所述源极层与所述半导体膜层部位直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，所述源极层间隔所述势垒调控层与半导体膜层部位形成肖特基势垒，所述半导体膜层部位的与所述势垒调控层相邻的部分区域形成圆环状耗尽区；在所述钝化层的远离基底的外侧表面上形成与所述源极层电性连接的源极走线层，以及与所述导体化膜层部位电性连接的漏极走线层。

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