龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管，其中所述肖特基二极管制备方法包括：处理GaN样板，获取GaN样品；然后在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀；在刻蚀后的GaN样品表面PECVD沉积二氧化硅，并对其进行光刻、RIE刻蚀；对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入；在硼离子注入后的GaN样品表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成场板结构；在场板结构表面蒸镀NiAu金属结构，作为肖特基二极管的阳极；在GaN样品背侧蒸镀TiAlTiAu金属结构，作为肖特基二极管的阴极。采用前述的方案，通过采用硼离子注入处理的肖特基二极管，反向击穿电压和开关比有明显的提升，且能够有效的抑制漏电流，提高输出功率，进而使肖特基二极管整体性能有很大提升。
主权项：1.一种肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：处理GaN样板，获取GaN样品；在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀；旋涂的转速为4000rads-4500rads，旋涂时间为30s-35s，其曝光时间为6s-6.5s，刻蚀采用ICP刻蚀；在刻蚀后的GaN样品表面PECVD沉积二氧化硅，并对其进行光刻、RIE刻蚀；对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入；其中，所述硼离子注入的注入能量为40keV-45keV，注入剂量为0.4×1013atcm2-0.5×1013atcm2；对硼离子注入之后的GaN样品进行清洗，然后采用快速热退火对其进行退火，对离子注入后的GaN样品进行450℃氮气气氛下快速热退火处理，处理时间为10min；在硼离子注入后的GaN样品表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成场板结构；在场板结构表面蒸镀NiAu金属结构，作为肖特基二极管的阳极；在GaN样品背侧蒸镀TiAlTiAu金属结构，作为肖特基二极管的阴极，得到硼离子注入的垂直结构GaN基肖特基二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号