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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，包括：堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向Y设置的台阶区和核心区；第一栅线缝隙结构，第一栅线缝隙结构沿第一方向Y设置于台阶区；第一栅线缝隙结构包括沿所述第一方向Y间隔分布的多个第一连接段，以及连接第一连接段的第二连接段，在同一个XY截面中，第一连接段在第二方向X上的第一尺寸L小于第二连接段在第二方向X上的第二尺寸D；其中，第二方向X与第一方向Y相互垂直。本申请提供的半导体器件在进行材料填充时能够进行实体填充，能够在去除相应层时避免损坏其它区域的结构，进而保证生产出来的存储器能够达到标准。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向Y设置的台阶区和核心区；第一栅线缝隙结构，所述第一栅线缝隙结构沿所述第一方向Y设置于所述台阶区；所述第一栅线缝隙结构包括沿所述第一方向Y间隔分布的多个第一连接段，以及连接所述第一连接段的第二连接段，在同一个XY截面中，所述第一连接段在第二方向X上的第一尺寸L小于所述第二连接段在所述第二方向X上的第二尺寸D，其中，所述第二方向X与所述第一方向Y相互垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储系统
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