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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社

摘要：本申请涉及半导体器件和半导体器件系统。本发明提供放电启动电压相对于电源电压的裕度和钳位电压相对于内部电路的击穿耐压的裕度二者。根据实施例的半导体器件包括：第一放大器电路，用于放大检测信号并输出驱动信号；第二放大器电路，用于对输入到第一放大器电路的检测信号进行反馈放大；以及放电元件，其放电能力根据驱动信号的大小而变化。

主权项：1.一种半导体器件，包括：电压检测电路，被配置为当第一端子和第二端子之间的电压达到预定电压时输出检测信号，其中所述第一端子是高电势侧端子，并且其中所述第二端子是低电势侧端子；第一放大器电路，被配置为放大所述检测信号并输出驱动信号；第二放大器电路，被配置为反馈放大所述检测信号；以及放电元件，耦合在所述第一端子和所述第二端子之间，并具有取决于所述驱动信号的放电能力，其中，所述放电元件是第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且漏极耦合到所述第二端子，其中，所述第一放大器电路包括：第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且栅极被提供有所述检测信号；第一电阻器，所述第一电阻器的一端耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极，并且另一端耦合到所述第二端子；以及第一输出电路，所述第一输出电路耦合到所述第二PMOS晶体管和所述第一电阻器的连接节点，并被配置为将所述驱动信号输出到所述第一PMOS晶体管的栅极，并且其中所述第二放大器电路包括：第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的源极耦合到所述第一端子，并且栅极被提供有所述检测信号；第二电阻器，所述第二电阻器的一端耦合到所述第三PMOS晶体管的漏极，并且另一端耦合到所述第二端子；第二输出电路，所述第二输出电路耦合到所述第三PMOS晶体管和所述第二电阻器的连接节点；以及第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的栅极被提供有所述第二输出电路的输出信号，所述第四PMOS晶体管的源极直接地或通过所述电压检测电路的多个整流元件中的至少一个整流元件耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极，所述第四PMOS晶体管的漏极直接地或通过所述多个整流元件中的至少一个整流元件耦合到所述第二端子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑞萨电子株式会社 半导体器件和半导体器件系统