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申请/专利权人：京瓷株式会社
摘要：半导体装置A1具备：半导体层11，具有沟槽10；绝缘膜12，覆盖沟槽的内表面10a；导电体13，埋设在被绝缘膜覆盖的沟槽内；以及肖特基结层15，与邻接于沟槽的半导体层表面11a形成肖特基结。导电体的表面13a位于比半导体层表面靠下的位置。半导体层表面在与沟槽的内壁面10a1邻接的部位具有越接近该内壁面、越向下位移的倾斜部11a1。
主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体层，具有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内表面；导电体，埋设在被所述绝缘膜覆盖的所述沟槽内；以及肖特基结层，与邻接于所述沟槽的半导体层表面形成肖特基结，所述导电体的表面位于比所述半导体层表面靠下的位置，所述半导体层表面在与所述沟槽的内壁面邻接的部位具有越接近该内壁面、越向下位移的倾斜部，覆盖所述内壁面的绝缘膜的上端面与所述倾斜部连续，且为与所述倾斜部相同方向的倾斜，覆盖所述内壁面的绝缘膜的上端面是越接近所述导电体、倾斜角越逐渐变大的凸的曲面形状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京瓷株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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