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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种针对感性负载和恢复电流的耐量高的半导体装置。具有有源区和耐压区的半导体装置具备：第一半导体层，具有第一导电型；第二导电型的第二半导体区，选择性地配置在第一半导体层上的正面侧；多个第一沟槽接触TC部，在有源区的耐压区侧的端部的第二半导体区内，以沿预定的方向延伸的方式彼此分离地配置；第二沟槽接触TC部，在有源区中的耐压区侧的端部，以沿预定的方向延伸的方式配置于第二半导体区内，相对第一TC部位于与耐压区相反的一侧且与多个第一TC部隔开间隔地配置；导电体层，将多个第一TC部彼此电连接；以及导电连接区，配置于第一TC部与第二TC部之间，具有比第二半导体区的电阻率低的电阻率，将第一TC部与第二TC部电连接。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具有有源区和配置于该有源区的外侧的耐压区，所述半导体装置还具备：第一导电型的第一半导体层，其从所述有源区一直配置到所述耐压区；第二导电型的第二半导体区，其选择性地配置于所述第一半导体层的正面侧；多个第一沟槽接触部，其以沿预定的方向延伸的方式彼此分离地配置在所述有源区中的所述耐压区侧的端部的所述第二半导体区内；第二沟槽接触部，其在所述有源区中的所述耐压区侧的所述端部，以沿所述预定的方向延伸的方式配置于所述第二半导体区内，相对于所述多个第一沟槽接触部位于与所述耐压区相反的一侧并且与该多个第一沟槽接触部隔开间隔地配置；导电体层，其将所述多个第一沟槽接触部彼此电连接；以及第二导电型的第一导电连接区，其配置于所述多个第一沟槽接触部与所述第二沟槽接触部之间的所述第二半导体区内，具有比所述第二半导体区的电阻率低的电阻率，且将所述多个第一沟槽接触部与所述第二沟槽接触部电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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