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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：示例性半导体结构可以包括含硅基板。所述结构可以包括覆盖在含硅基板上的第一金属氮化物的第一层。所述结构可以包括覆盖在第一金属氮化物的第一层上的第二金属氮化物的第二层。所述结构可以包括覆盖金属氮化物层的氮化镓结构。
主权项：1.一种半导体结构，包括：含硅基板；第一金属氮化物的第一层，覆盖在所述含硅基板上；第二金属氮化物的第二层，覆盖所述第一金属氮化物的所述第一层；和氮化镓结构，覆盖所述第二金属氮化物的所述第二层。
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百度查询： 应用材料公司 半导体结构及半导体处理方法
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