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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明涉及一种含POSS的交联聚硅氧烷的制备方法，属于高分子材料技术领域。本发明由含有Si‑H键的硅氧烷或聚硅氧烷、含有多个C＝C双键的富碳单体或硅氧烷单体、含Si‑H键或C＝C双键等可反应基团的POSS、导电材料和造孔剂等原料制备而出，制备工艺简单，对设备要求较低，所制备出的聚硅氧烷具有优良的耐高温性能，可用于耐热材料、涂层等领域，也可以作为先驱体制备具有特定结构和性能的陶瓷材料应用于电池负极材料、吸波材料等领域。
主权项：1.一种含POSS的交联聚硅氧烷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将催化剂与溶剂均匀混合，然后分别原料、导电材料和造孔剂；所述的原料包括加入含有Si-H键的硅氧烷或聚硅氧烷、含有多个C＝C双键的富碳单体或硅氧烷单体、含Si-H键或C＝C双键等可反应基团的POSS；在20～70℃下搅拌10min～48h，或进行超声处理，以达到均匀混合的目的；S2、将混合均匀的原料在30～150℃下反应10min～48h，得到具有交联结构的聚硅氧烷；S3、将具有交联结构的聚硅氧烷于100～200℃下1～12h，除去溶剂并进一步固化，得到含POSS的交联聚硅氧烷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种含POSS的交联聚硅氧烷的制备方法
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