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申请/专利权人：化合积电(厦门)半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种金刚石硅复合衬底及其制法、金刚石基硅芯片的制造方法。金刚石硅复合衬底的制备方法包括：在硅片的第一表面生长形成碳化物层，碳化物层包括多个间隔排布的碳化物微结构；对碳化物层进行表面改性处理，以将碳化物层的表面官能团转化为羟基；在多个碳化物微结构的顶端面种植多个金刚石晶种，多个金刚石晶种间隔分布；采用微波等离子体化学气相沉积工艺在多个金刚石晶种的表面同质外延生长多个单晶金刚石，且使多个单晶金刚石相互合并为一体，从而形成金刚石膜。本发明采用呈现一定台阶的硅片来生长金刚石，优化了金刚石的生长质量，采用小面积金刚石薄片替代原来的种子层‑类似达成同质外延效果。
主权项：1.一种金刚石硅复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：在硅片的第一表面生长形成碳化物层，所述碳化物层包括多个间隔排布的碳化物微结构；对所述碳化物层进行表面改性处理，以将所述碳化物层的表面官能团转化为羟基；在多个所述碳化物微结构的顶端面种植多个金刚石晶种，多个所述金刚石晶种间隔分布；采用微波等离子体化学气相沉积工艺在多个所述金刚石晶种的表面同质外延生长多个单晶金刚石，且使多个所述单晶金刚石相互合并为一体，从而形成金刚石膜。
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权利要求：
百度查询： 化合积电(厦门)半导体科技有限公司 金刚石/硅复合衬底及其制法、金刚石基硅芯片的制造方法
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