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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及一种异质材料键合剥离的方法，通过设置预热处理的步骤，同时控制预热处理的温度在合理范围内，可以去除第一材料表面的多余水分子，又可以使得第一材料表面的羟基保持活性状态，从而保证键合效果；另外，控制键合处理后预热材料与第二材料的温度差在合理范围内，可以降低热处理时键合界面处的热应力水平，减小键合结构体开裂或失效的风险。
主权项：1.一种异质材料键合剥离的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）对第一材料的表面进行离子注入，在所述第一材料内的预设深度处形成弱化层；（2）将步骤（1）所述离子注入后的第一材料进行预热处理，得到预热材料；将所得预热材料的离子注入面与第二材料的表面进行键合处理，得到异质材料键合体；（3）步骤（2）所得异质材料键合体经过热处理后沿所述弱化层裂开，得到具有第一材料层与第二材料基体的键合结构体；步骤（2）所述预热处理的温度＜90℃，所述键合处理后预热材料与第二材料的温度差＞50℃；步骤（2）所述键合处理中预热材料的降温速度＜1℃s，第二材料的升温速度＜1℃s。
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