龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：源极底置Si基GaNHEMT器件，涉及一种半导体技术领域。包括Si基GaN外延片；所述Si基GaN外延片的底面设有源电极，顶面设有延伸至GaN本征层下方的U型槽；所述U型槽的内侧壁设有从槽底向上延伸至GaN本征层的P型Si；所述P型Si上设有延伸至与AlGaN势垒层顶面齐平的N型Si；所述U型槽内设有与N型Si和P型Si贴合并覆盖U型槽槽底的隔离层；所述隔离层内设有多晶硅；所述多晶硅上设有栅电极；所述Si基GaN外延片的端部设有从GaN本征层向上延伸并从AlGaN势垒层顶面伸出的漏电极。沟道电阻变小有利于减小器件导通损耗并提升器件工作效率，有利于器件工作在更大功率条件下，从而推动Si基GaNHEMT在电力电子领域的发展和应用。
主权项：1.源极底置Si基GaNHEMT器件，其特征在于，包括Si基GaN外延片；所述Si基GaN外延片的底面设有源电极（1），顶面设有延伸至GaN本征层（4）下方的U型槽；所述U型槽的内侧壁设有从槽底向上延伸至GaN本征层（4）的P型Si（11）；所述P型Si（11）上设有N型Si（7），所述N型Si（7）的顶面与AlGaN势垒层（6）的顶面齐平，底面与槽底连接；所述U型槽内设有与N型Si（7）贴合并覆盖U型槽槽底的隔离层（10）；所述隔离层（10）内设有多晶硅（9）；所述多晶硅（9）上设有栅电极（8）；所述Si基GaN外延片的端部设有从GaN本征层（4）向上延伸并从AlGaN势垒层（6）顶面伸出的漏电极（5）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 源极底置Si基GaN HEMT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号