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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，所述的开关矩阵包括衬底，相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生短路以及信号之间相互干扰的问题，同时多层多通道结构保证了当矩阵中某一层通道皆出现损毁时，仍能够保证信号在另一层通道上正常传输。并且通过进一步堆叠设计，在不维修损毁层开关的前提下，仍能够实现多层多通道立体开关矩阵的信号传输。

主权项：1.一种基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：选取单面氧化的高阻单晶SiSiO2作为衬底，清洗后进行正性光刻胶的旋涂和烘干，经电子束光刻图案化后显影定影，磁控溅射沉积10~100nm厚的CrAu或W金属底电极和下一层套刻的标记，利用丙酮去胶清洗获得第一底电极层；步骤2：对沉积有底电极的衬底进行光刻胶的旋涂和烘干，利用电子束光刻通过十字标记对准进行相变层的图案化，显影定影后磁控溅射50~100nm厚的GeTe相变材料和下一层套刻的标记，去胶清洗获得第一相变层；步骤3：在相变层上表面上，根据十字标记对准进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射W或CrAu作为顶电极，其中Cr层厚度为7～20nm其作用为增加电极粘附性，Au层厚度为100～200nm或W层厚度为50～100nm，去胶清洗后获得第一顶电极层；步骤4：根据十字标记对准，利用电子束光刻绝缘层的图案化，显影定影后射频磁控溅射沉积50~200nm厚的Si3N4或AlN绝缘层，去胶清洗获得绝缘层；步骤5：在绝缘层上表面上，根据十字标记对准进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射W或CrAu作为第二底电极层；步骤6：对沉积绝缘层上表面进行光刻胶的旋涂和烘干，利用电子束光刻通过十字标记对准进行相变层的图案化，显影定影后磁控溅射50~100nm厚的GeTe相变材料和下一层套刻的标记，去胶清洗获得第二相变层；步骤7：在第二相变层上表面上，根据十字标记对准进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射W或CrAu作为顶电极，去胶清洗后获得第二顶电极层；步骤8：在电极层两侧根据十字标记对准，进行电子束光刻图案化后沉积溅射250~650nm金属作为地导体层；步骤9：在地导体层表面上通过十字标记对准，进行电子束光刻套刻图案化后磁控溅射50~200nm厚的SiO2或AlN后，去胶清洗获得钝化层；步骤10：在钝化层表面根据十字标记对准，进行电子束光刻图案化后，通过反应离子刻蚀至地导体层获得SiO2或AlN通孔；步骤11：在钝化层上通过十字标记对准，进行电子束光刻套刻图案化，通过磁控溅射沉积金属填满通孔并获得共地金属连接层，完成地导体层的连接，制得所述基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵。

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