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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及在膜边缘上存在分隔的感测小PZT的PMUT阵列。本文公开了一种超声器件阵列。每个超声器件包括由膜承载并且与膜一起形成第一压电微机械超声换能器PMUT的第一压电堆叠，以及由膜承载并且围绕其外围定位的多个第二压电堆叠，每个第二压电堆叠与膜一起形成第二PMUT。在操作期间，第一压电堆叠被配置为响应于施加到第一压电堆叠的交流电压而振动膜，从而生成朝向目标的至少一个输出超声脉冲，并且在操作期间，多个第二压电堆叠被配置为响应于由膜的振动引起的第二压电堆叠的弯曲而生成感测电压，所述膜的振动是由离开目标的输入超声反射引起的。
主权项：1.一种超声器件阵列，每个超声器件包括：膜；第一压电堆叠，由所述膜承载并且与所述膜一起形成第一压电微机械超声换能器PMUT；以及多个第二压电堆叠，由所述膜承载并且围绕所述膜的外围定位，每个第二压电堆叠与所述膜一起形成第二PMUT；其中，在操作期间，所述第一压电堆叠被配置为响应于向所述第一压电堆叠施加交流电压而振动所述膜，从而生成朝向目标的至少一个输出超声脉冲；以及其中，在操作期间，所述多个第二压电堆叠被配置为响应于由所述膜的所述振动引起的所述多个第二压电堆叠的弯曲而生成感测电压，所述膜的所述振动是由来自所述目标的输入超声反射引起的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 在膜边缘上存在分隔的感测小PZT的PMUT阵列
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