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摘要：本发明提供了一种可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法，其主要包括：1采用分子束外延三温度法在石墨烯衬底上制备单层VTe2；2在真空环境下，将纯度为99.999％的硒原子蒸发沉积到单层VTe2表面上，同时保持单层VTe2及石墨烯衬底在一个预设反应温度，以使沉积的硒原子与单层VTe2产生相互作用，并充分扩散，可控生成Janus结构钒硫族化物的二维有序的硒化产物VTeSe和VSe2中的任意一个。本发明构思合理，能够生长出一种新型的Janus结构钒硫族化合物或者可控硒化得到VSe2。
主权项：1.一种可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法，其特征在于，主要包括以下步骤：1采用分子束外延三温度法在石墨烯衬底上制备单层VTe2；2在真空环境下，将纯度为99.999％的硒原子蒸发沉积到单层VTe2表面上，同时保持单层VTe2及石墨烯衬底在一个预设反应温度，以使沉积的硒原子与单层VTe2产生相互作用，并充分扩散，可控生成Janus结构钒硫族化物的二维有序的硒化产物VTeSe和VSe2中的任意一个。
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百度查询： 北京理工大学 可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法
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