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申请/专利权人：胜华新材料科技(眉山)有限公司;胜华新材料科技(连江)有限公司;胜华新材料集团股份有限公司
摘要：本发明公开了一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用，在多孔偏铝酸锂上直接沉积纳米硅，然后再沉积碳层，其中，多孔偏铝酸锂的制备方法包括如下操作步骤：步骤S1、准备有机铝盐、有机溶剂和有机碱，将其进行分散均匀后转移到高压反应釜中，反应至少1小时，经过滤、真空干燥后烧结1‑6小时,得到多孔氧化铝；步骤S2、向锂溶液中添加多孔氧化铝，反应至少10小时；本申请制得的特定多孔偏铝酸锂具有令人惊喜的高离子导电率特性，同时可直接替代当前技术采用的多孔碳，通过在多孔偏铝酸锂中沉积纳米硅，可有效降低充放电过程中硅的膨胀，并进一步提升硅碳复合材料的离子导电率，改善硅碳复合内核的扩散系数。
主权项：1.一种硅碳复合材料的制备方法，其特征在于，在多孔偏铝酸锂上直接沉积纳米硅，然后再沉积碳层，其中，所述多孔偏铝酸锂的制备方法包括如下操作步骤：步骤S1、分别准备有机铝盐、有机溶剂和有机碱，将其进行分散均匀后转移到高压反应釜中，在温度为100-200℃、压强为5-10Mpa的条件下反应至少1小时，优选反应1-3小时，经过滤、真空干燥后在温度为500-800℃的条件下烧结1-6小时,得到多孔氧化铝；步骤S2、向锂溶液中添加上述步骤S1得到的多孔氧化铝，在温度为50-100℃的条件下进行反应至少10小时，优选反应12-72小时，经真空干燥后，得到所述多孔偏铝酸锂。
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百度查询： 胜华新材料科技(眉山)有限公司 胜华新材料科技(连江)有限公司 胜华新材料集团股份有限公司 一种硅碳复合材料的制备方法及其硅碳复合材料和应用
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