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申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
摘要：本发明公开了一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法。通过在石墨烯生长晶圆衬底表面增加遮盖物晶圆，构筑限域反应体系，实现石墨烯表面气相反应以及伴生双层结构的有效抑制，可以实现高单层率石墨烯单晶晶圆的可控制备。本发明将为石墨烯晶圆材料的品质提升提供技术支持，有助于推动石墨烯晶圆材料未来在电子与光电子器件的应用进展。
主权项：1.一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、提供一铜晶圆；S2、将所述铜晶圆与尺寸相当的未经退火的遮盖物晶圆在相同位置面对面堆叠放置，然后共同放置于化学气相沉积CVD体系中，然后对其退火，得到面对面放置的单晶化得到Cu111单晶晶圆和经过退火的遮盖物晶圆；或者，将所述铜晶圆进行退火处理，使其单晶化得到Cu111单晶晶圆，然后将其与尺寸相当的经过退火的遮盖物晶圆在相同位置面对面堆叠放置，然后共同放置于化学气相沉积CVD体系中；S3、向所述化学气相沉积体系中通入一定量的碳源前驱体，使其在所述Cu111单晶晶圆表面开始石墨烯单晶晶圆的外延生长；S4、石墨烯单晶晶圆生长完毕后，在原有气氛条件下将CVD体系降至室温，在Cu111单晶晶圆表面取样后即可得到单层石墨烯单晶晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京石墨烯研究院 北京大学 一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法
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