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申请/专利权人：迪优未来科技(清远)有限公司;华南师大(清远)科技创新研究院有限公司
摘要：本发明涉及一种纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，其包含依次设置于衬底上的n+型β‑氧化镓纳米柱、β‑氧化镓本征层、p型氮化镓纳米线阵列、阳极金属填充层以及阳极保护层，阳极金属填充层填充p型氮化镓纳米线阵列的间隙，与本征层形成肖特基接触，β‑氧化镓纳米柱水平设置于衬底上，其一端面设置与其形成欧姆接触的阴极，实现了pin结与肖特基二极管相结合，使得该微型化的肖特基二极管在保持低导通电压的同时具有低反向漏电流和耐压高的特性，同时本发明的器件结构在材料的选择和生长方面进一步提高了二极管的生长质量，在纳米电子及光电子器件中具有巨大的应用前景。
主权项：1.一种纳米结构的结势垒肖特基二极管，包含衬底，其特征在于：还包括依次层叠于所述衬底表面的n+型β-氧化镓纳米柱、β-氧化镓本征层、p型氮化镓纳米线阵列、阳极金属填充层以及阳极保护层；其中，所述β-氧化镓纳米柱水平设置于所述衬底的表面，所述β-氧化镓本征层包裹所述β-氧化镓纳米柱的部分侧表面，所述p型氮化镓纳米线沿所述β-氧化镓本征层表面的法线阵列排布，所述阳极金属填充层填充所述p型氮化镓纳米线阵列的间隙，所述阳极保护层设置于所述阳极金属填充层上，与所述β-氧化镓本征层形成肖特基接触；还包括设置于所述β-氧化镓纳米柱一端面的阴极，所述阴极与所述β-氧化镓纳米柱之间形成欧姆接触。
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