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采用CMOS图像传感器测量Rn-222的装置及方法 

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申请/专利权人:衡阳师范学院

摘要:采用CMOS图像传感器测量Rn‑222的装置及方法,装置包括测量腔、CMOS图像传感器、计算机、高压触头、高压模块、氡室、第一电磁阀、第二电磁阀及气泵。测量腔下部的筒壁上设有第一气管阀门及第二气管阀门,CMOS图像传感器安装在测量腔的端盖上,CMOS图像传感器通过USB线与计算机连接,高压触头通过导线与高压模块连接,第一气管阀门与第一电磁阀连接,第一电磁阀的另一端与氡室连接,第二气管阀门与第二电磁阀连接,第二电磁阀的另一端与气泵连接,气泵的另一端与氡室连接。测量时,利用CMOS图像传感器通过测量β射线和γ射线的数量来得到Rn‑222的浓度。本发明的装置成本低,利用CMOS图像传感器通过测量β射线和γ射线的数量来得到Rn‑222的浓度,测量灵敏度高。

主权项:1.采用CMOS图像传感器测量Rn-222的装置,其特征是:包括测量腔、CMOS图像传感器、计算机、高压触头、高压模块、氡室、第一电磁阀、第二电磁阀及气泵;测量腔下部的筒壁上设有第一气管阀门及第二气管阀门,CMOS图像传感器安装在测量腔的端盖上,CMOS图像传感器通过USB线与计算机连接,用于观察实验现象和数据处理,高压触头安装在测量腔上部的筒壁上并通过导线与高压模块连接,第一气管阀门通过管道与第一电磁阀连接,第一电磁阀的另一端通过管道与氡室连接,第二气管阀门通过管道与第二电磁阀连接,第二电磁阀的另一端通过管道与气泵连接,气泵的另一端通过管道与氡室连接;测量腔内壁为导电金属,高压模块通过高压触头对测量腔内壁产生高压电,CMOS图像传感器内部含有金属布线,工作时产生低电压,测量腔内壁的高压与CMOS图像传感器的低压形成静电场。

全文数据:

权利要求:

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