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申请/专利权人：江西誉鸿锦材料科技有限公司
摘要：本发明公开一种氮化镓肖特基势垒二极管，其为多层结构，从下到上依次包括衬底1、缓冲层2、i‑GaN外延层3a、n‑GaN外延层3b，所述n‑GaN外延层3b上设有与之构成欧姆接触的欧姆电极4和与之构成肖特基势垒接触的肖特基势垒电极5，其中所述肖特基势垒电极5由下至上依次包括氮化镍层和金层，所述氮化镍层与所述n‑GaN外延层3b构成肖特基势垒接触。所述氮化镍层是采用氮离子辅助注入式电子束蒸发镍的方法制成的。本发明解决了传统肖特基势垒二极管的反向泄漏电流较大且稳定性不够好的技术问题。
主权项：1.一种氮化镓肖特基势垒二极管，其为多层结构，从下到上依次包括衬底1、缓冲层2、i-GaN外延层3a、n-GaN外延层3b，所述n-GaN外延层3b上设有与之构成欧姆接触的欧姆电极4和与之构成肖特基势垒接触的肖特基势垒电极5，其特征在于，所述肖特基势垒电极5由下至上依次包括氮化镍层和金层，所述氮化镍层与所述n-GaN外延层3b构成肖特基势垒接触；所述氮化镓肖特基势垒二极管包括如下步骤制造步骤：1向衬底1上依次生长缓冲层2、i-GaN外延层3a、n-GaN外延层3b；然后，2在所述n-GaN外延层3b的局部沉积与之构成欧姆接触的欧姆电极4；并在所述n-GaN外延层3b另一局部用氮离子辅助注入式电子束蒸发镍的方法沉积氮化镍层，然后利用电子束蒸发法在所述氮化镍层上蒸发沉积金层，所述氮化镍层和所述金层构成所述肖特基势垒电极5。
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权利要求：
百度查询： 江西誉鸿锦材料科技有限公司 一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
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