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申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
摘要：本发明涉及高温MEMS绝压压力传感器芯片加工技术领域，特别涉及一种高温Cavity‑SOI绝压压力传感器芯片真空腔体结构的制备工艺。包括如下步骤：提供N型110晶向的双抛硅衬底片；将上述衬底片在炉管中淀积二氧化硅层；对淀积有二氧化硅层的衬底片进行深硅槽孔阵列结构的光刻；干法刻蚀二氧化硅层，形成深硅槽孔阵列结构刻蚀的HardMask层；去除光刻胶，以二氧化硅层为HardMask层，干法刻蚀深硅槽孔阵列，刻蚀深度为10μm～50μm；湿法BOE去除衬底片表面的二氧化硅层，腐蚀速率为100nmmin～1000nmmin。本发明解决了高温MEMS绝压压力传感器芯片的真空腔体硅硅键合Cavity‑SOI工艺外协加工周期长、成本昂贵、工艺不可控等问题。
主权项：1.一种高温Cavity-SOI绝压压力传感器芯片真空腔体结构的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供N型110晶向的双抛硅衬底片；步骤2：将上述衬底片在炉管中淀积二氧化硅层；步骤3：对淀积有二氧化硅层的衬底片进行深硅槽孔阵列结构的光刻；步骤4：干法刻蚀二氧化硅层，形成深硅槽孔阵列结构刻蚀的HardMask层；步骤5：去除光刻胶，以二氧化硅层为HardMask层，干法刻蚀深硅槽孔阵列，刻蚀深度为10μm～50μm；步骤6：湿法BOE去除衬底片表面的二氧化硅层，腐蚀速率为100nmmin～1000nmmin；步骤7：放置外延设备中进行高温退火处理，形成SON真空腔体结构；步骤8：在炉管内淀积二氧化硅层，形成Cavity-SOI的BOX氧化层，二氧化硅层厚度为500nm～1000nm，炉管温度为700℃～1200℃；步骤9：外延设备中生长一定厚度的单晶硅层，外延生长单晶硅层的温度为1000℃～1300℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 一种高温Cavity-SOI绝压压力传感器芯片真空腔体结构的制备工艺
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