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申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司
摘要：本公开涉及承受电气过应力故障条件的应用的耐高压电路架构。公开一种具有耐高压电过载电路架构的半导体芯片。半导体芯片的一个实施方案包括信号焊盘、接地焊盘、与信号焊盘电连接的核心电路以及堆叠晶闸管保护装置。堆叠的晶闸管包括电堆叠在信号焊盘与接地焊盘之间的第一晶闸管和电阻式晶闸管，相对于仅采用晶闸管的实施方式，这提高了电路的保持电压。另外，所述电阻式晶闸管包括交叉耦合和在所述PNP双极晶体管的集电极和所述NPN双极晶体管的集电极之间的电连接的PNP双极晶体管和NPN双极晶体管。这允许电阻式晶闸管基于电流水平显示晶闸管特性和电阻特性。
主权项：1.一种具有高耐压和高电流处理能力的半导体芯片，该半导体芯片包括：第一焊盘和第二焊盘；电连接到所述第一焊盘的核心电路；和堆叠晶闸管保护装置，被配置为保护所述核心电路免受电过应力的影响，所述堆叠晶闸管保护装置包括在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间堆叠电连接的第一晶闸管和电阻式晶闸管，其中所述第一晶闸管包括交叉耦合的第一PNP双极晶体管和第一NPN双极晶体管，所述第一PNP双极晶体管的基极连接到所述第一NPN双极晶体管的集电极，并且所述第一NPN双极晶体管的基极连接到所述第一PNP双极晶体管的集电极；其中所述电阻式晶闸管包括交叉耦合和的第二PNP双极晶体管和第二NPN双极晶体管，所述第二PNP双极晶体管的基极连接到所述第二NPN双极晶体管的集电极，所述第二NPN双极晶体管的基极连接到所述第二PNP双极晶体管的集电极，金属连接直接连接所述第二PNP双极晶体管的集电极和所述第二NPN双极晶体管的集电极，以及其中所述第一NPN双极晶体管的发射极连接到所述第二PNP双极晶体管的发射极。
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权利要求：
百度查询： 美国亚德诺半导体公司 承受电气过应力故障条件的应用的耐高压电路架构
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