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申请/专利权人：华南理工大学

摘要：本发明属于光电器件技术领域，公开了一种深蓝光准二维钙钛矿发光二极管。所述深蓝光钙钛矿发光二极管的深蓝光发光层包括钙钛矿以及掺杂的碱金属卤化物、大基团有机卤化物和双胺基团有机卤化物。本发明通过双胺基团有机卤化物使准二维钙钛矿中的高n值相转变为小尺寸纳米晶，增加准二维钙钛矿的带隙宽度，从而使钙钛矿实现光谱稳定的深蓝光发射。通过碱金属卤化物降低钙钛矿中二维相n＝1的生成，抑制钙钛矿二维相n＝1中强激子‑声子耦合作用造成的非辐射能量损耗，并与双胺基团有机卤化物协同作用使准二维钙钛矿中的纳米晶尺寸减小，从而进一步增大了准二维钙钛矿的带隙宽度，使器件的发光进一步蓝移。

主权项：1.一种深蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于根据如下步骤制备得到：（1）将溴化铅、溴化铯、氯化铯、碱金属卤化物、大基团有机卤化物和双胺基团有机卤化物作为共混溶质溶于二甲基亚砜溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液；（2）在ITO电极的玻璃基片上制备空穴注入层和空穴传输层，将步骤（1）的钙钛矿前驱体溶液用0.22μm的聚四氟乙烯疏水过滤膜过滤后，旋涂于空穴传输层上，得到钙钛矿薄膜；（3）将步骤（2）中的钙钛矿薄膜进行退火处理；（4）在钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到深蓝光钙钛矿发光二极管；步骤（1）中所述大基团有机卤化物为苯乙基溴化胺，所述双胺基团有机卤化物为乙二胺盐酸盐，所述碱金属卤化物为溴化钠；所述溴化铅浓度为0.2molL，溴化铯浓度为0.02molL，氯化铯浓度为0.18molL，苯乙基溴化铵浓度为0.16molL，乙二胺盐酸盐浓度为2mgmL，溴化钠浓度为0.01molL；步骤（2）中所述旋涂的转速为1000~6000rpm，旋涂的总时间为60~120秒；所述空穴传输层为聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]和聚（9-乙烯基咔唑）组成的PTAAPVK双层薄膜；步骤（3）所述退火处理温度为40~120℃，时间为5~15分钟；所述深蓝光钙钛矿发光二极管自下而上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、深蓝光发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述深蓝光发光层包括铯铅卤化物钙钛矿以及掺杂的碱金属卤化物、大基团有机卤化物和双胺基团有机卤化物；所述大基团有机卤化物为有机氯化胺LCl或有机溴化胺LBr，其中L为离子半径＞300皮米的正一价有机胺离子；所述双胺基团有机卤化物为有机二胺盐酸盐MCl2或有机二胺溴酸盐MBr2，其中M为离子半径600皮米的正二价有机胺离子；所述铯铅卤化物钙钛矿的组成为CsPb1+yClxBr3-x+2y，其中x=0.5~0.9，y=0~0.5。

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