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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有热失配抑制层的氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，所述具有热失配抑制层的氮化物半导体激光器还包括具有共价键能分布特性的第一热失配抑制层和第二热失配抑制层。本发明能够缓解热失配，降低有源层的QCSE量子限制stark效应，减少能带倾斜，提升有源层电子和空穴波函数的交叠几率，提升激光器的光功率，同时，减少泵浦光与振荡光之间能量差形成的斯托克斯频移损耗，降低激光器的废热比例，提升激光器的温度分布均匀性，降低激光器的热失配，抑制激光器的温度淬灭和激光器断裂比例。
主权项：1.一种具有热失配抑制层的氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，其特征在于，所述具有热失配抑制层的氮化物半导体激光器还包括第一热失配抑制层和第二热失配抑制层，所述第一热失配抑制层设置在所述下包覆层与下波导层之间，所述第二热失配抑制层设置在所述上包覆层与上波导层之间，所述第一热失配抑制层和第二热失配抑制层均具有共价键能分布特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有热失配抑制层的氮化物半导体激光器
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