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申请/专利权人：长三角物理研究中心有限公司;中国科学院物理研究所

摘要：本发明实施例涉及一种双介质分布式布拉格反射器DBR型垂直腔面发射激光器VCSEL及其制备方法。双介质DBR型垂直腔面发射激光器自下而上包括：导电热沉层、第一金属电极层、第一介质DBR层、第一透明导电层、第一电流窗口、有源层、第二电流窗口、第二透明导电层、第二介质DBR层和第二金属电极层；第二金属电极层上开有出光窗口，出光窗口与第一电流窗口和第二电流窗口在投影方向的位置相对应；出光窗口的截面尺寸大于第一及第二电流窗口的截面尺寸；第一透明导电层和有源层之间还包括第一离子注入隔离区，第一离子注入隔离区包围着第一电流窗口；第二透明导电层和有源层之间还包括第二离子注入隔离隔离区，第二离子注入隔离区包围着第二电流窗口。

主权项：1.一种双介质分布式布拉格反射器DBR型垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在晶圆衬底上依次外延生长缓冲层、选择停止层、n型半导体层、有源层和p型半导体层；在所述p型半导体层上制备第一掩蔽层，对未被所述第一掩蔽层覆盖的p型半导体层进行离子注入，形成第一离子注入隔离区，之后去除所述第一掩蔽层，所述p型半导体层未被离子注入的区域形成第一电流窗口；注入的离子由p型半导体层表面至有源层表面纵向分布；在所述p型半导体层上制备第一透明导电层；在所述第一透明导电层上制备第一介质DBR层；在所述第一介质DBR层上制备第二掩蔽层，利用第二掩蔽层对所述第一介质DBR层进行选择性刻蚀至第一透明导电层，在所述第一介质DBR层上形成第一电极孔，之后去除所述第二掩蔽层；沉积第一金属电极层；所述第一金属电极层覆盖所述第一介质DBR层和所述第一电极孔中露出的第一透明导电层；在所述第一金属电极层上形成导电热沉层；去除晶圆衬底和缓冲层，并去除选择停止层，露出所述n型半导体层的表面；在所述n型半导体层上制备第三掩蔽层，对未被所述第三掩蔽层覆盖的n型半导体层进行离子注入，形成第二离子注入隔离区，之后去除所述第三掩蔽层，所述n型半导体层未被离子注入的区域形成第二电流窗口；注入的离子由n型半导体层表面至有源层表面纵向分布；在所述n型半导体层上制备第二透明导电层；在所述第二透明导电层上制备第二介质DBR层；在所述第二介质DBR层上制备第四掩蔽层，利用第四掩蔽层对所述第二介质DBR层进行选择性刻蚀至第二透明导电层，在所述第二介质DBR层上形成第二电极孔，之后去除所述第四掩蔽层；沉积第二金属电极层，并形成出光窗口；所述出光窗口的位置与所述第二电流窗口相对应，所述第二金属电极层覆盖除所述出光窗口所在位置之外的所述第二介质DBR层以及由所述第二电极孔中露出的第二透明导电层。

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