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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明涉及一种减小双自对准接触的FinFET标准单元面积的方法，涉及半导体集成电路制造技术，形成一个双自对准接触的FinFET标准单元，其中一个为跨越扩散连接孔的自对准栅极接触，另一个为跨越栅极的自对准扩散连接孔接触，其中在形成扩散连接孔之后，进行扩散连接孔填充塞刻蚀，并在刻蚀形成的孔洞内形成盖帽层，而实现两自对准接触间的隔离，如此可进一步减小有效鳍或虚拟鳍的尺寸，而进一步减小鳍式场效应晶体管标准单元的面积，并可防止相邻的M0A和M0P桥接在一起，而提高器件性能。

主权项：1.一种减小双自对准接触的FinFET标准单元面积的方法，其特征在于，包括：S11：形成双自对准接触的FinFET标准单元的金属栅极，并进行平坦化工艺，其中相邻金属栅极之间间隔有第一层间介质层；S12：形成一层缓冲层，缓冲层覆盖金属栅极及第一层间介质层；S13：去除位于金属栅极之间的缓冲层和第一层间介质层，在第一层间介质层和缓冲层的去除区域形成导电材料，而形成扩散连接孔；S14：进行扩散连接孔填充塞刻蚀，刻蚀去除扩散连接孔内的部分导电材料，保留部分导电材料，而形成位于剩余的导电材料上的孔洞；S15：形成一层盖帽层，并进行平坦化工艺，使孔洞内填充所述盖帽层而形成扩散连接孔填充塞盖帽，盖帽层的材质为绝缘材料；S16：进行刻蚀工艺，去除位于第一金属栅极上的部分缓冲层，使第一金属栅极的顶部仍被剩余的缓冲层覆盖，并去除第一金属栅极两侧的扩散连接孔填充塞盖帽，直至露出位于扩散连接孔填充塞盖帽下的导电材料，而在缓冲层和扩散连接孔填充塞盖帽的去除区域形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁仍保留一层扩散连接孔填充塞盖帽；S17：进行刻蚀工艺，去除位于与第一金属栅极一侧相邻的两个第二金属栅极上部分缓冲层，直至露出位于缓冲层下的第二金属栅极，但在靠近第一金属栅极的一侧仍保留一缓冲层侧墙，去除位于两个第二金属栅极之间的部分扩散连接孔填充塞盖帽，而使剩余的扩散连接孔填充塞盖帽仍覆盖刻蚀后的扩散连接孔，而在缓冲层和扩散连接孔填充塞盖帽的去除区域形成第二凹槽，并第一凹槽与第二凹槽之间由缓冲层侧墙隔开；S18：形成导电材料，使第一凹槽和第二凹槽内均填充导电材料，而使两个第二金属栅极通过导电材料连接，第一金属栅极两侧的刻蚀后的扩散连接孔通过导电材料连接，并第一凹槽与第二凹槽内的导电材料通过缓冲层侧墙隔离。

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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种减小FinFET标准单元面积的方法及其形成的器件