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申请/专利权人：哈尔滨理工大学
摘要：一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法，本发明涉及金属材料制备技术领域，具体涉及一种Mg‑Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法。本发明要解决现有Mg‑Sc形状记忆合金的相变温度极低、超弹性滞后较大、成本高的问题。化学通式为Mg‑17.1875at.％Sc‑1.5625at.％X，其中X表示Co或Ge。包括：一、搭建各元素掺杂后奥氏体与马氏体模型；二、计算优化后奥氏体与马氏体相变温度、相变应变，初步确定合金掺杂元素；三、通过对相变过程的插值处理并进行计算，绘制出合金的应力应变曲线。采用第一性原理计算法从找到一种轻质Mg‑Sc基形状记忆合金，具有相变温度在室温附近、超弹性良好、成本低的优点。
主权项：1.一种Mg-Sc基轻质形状记忆合金，其特征在于Mg-Sc基轻质形状记忆合金的化学通式为Mg-17.1875at.％Sc-1.5625at.％X，其中X表示Co或Ge。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨理工大学 一种Mg-Sc基轻质形状记忆合金及其获得方法
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