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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明涉及一种贴合SOI晶圆的制造方法，具有以下工序：使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，在所述基底晶圆的贴合面侧形成底层绝缘膜；在所述底层绝缘膜的表面堆积多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行研磨；对研磨后的所述多晶硅层进行离子注入以将所述多晶硅层改性，而形成改性硅层；在所述接合晶圆的贴合面形成所述绝缘膜；经由所述绝缘膜将所述基底晶圆的所述改性硅层的表面与所述接合晶圆贴合；以及将经过贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层。由此，能够提供谐波特性良好的贴合SOI晶圆。
主权项：1.一种贴合SOI晶圆的制造方法，将由单晶硅构成的接合晶圆与由单晶硅构成的基底晶圆经由绝缘膜进行贴合，其特征在于，具有以下工序：使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为所述基底晶圆，在所述基底晶圆的贴合面侧形成底层绝缘膜；在所述底层绝缘膜的表面堆积多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行研磨；对研磨后的所述多晶硅层进行离子注入以将所述多晶硅层改性，而形成改性硅层；在所述接合晶圆的贴合面形成所述绝缘膜；经由所述绝缘膜将所述基底晶圆的所述改性硅层的表面与所述接合晶圆贴合；以及将经过贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层，所述改性硅层在上部含有包含球状缺陷的非晶态区域，在下部含有多晶层，所述改性硅层的膜厚为100nm以上1000nm以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆
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