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申请/专利权人：全新光电科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。
主权项：1.一种高坚固性的异质结双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底；次集电极层，位于所述衬底上，所述次集电极层包括III-V族半导体；集电极层，位于所述次集电极层上，包括III-V族半导体材料；基极层，位于所述集电极层上，包括III-V族半导体材料；以及发射极层，位于所述基极层上，包括III-V族半导体材料；所述集电极层包括InGaP层，所述InGaP层与所述次集电极层直接相邻或间接相邻，且所述InGaP层的能隙大于1.86eV或所述InGaP层的PL峰值波长小于667nm，使得所述InGaP层具有一低度原子有序排列，所述集电极层还包括GaAs层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全新光电科技股份有限公司 高坚固性的异质结双极型晶体管
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