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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底与外延层，外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，LED芯片还包括N电极结构与P电极结构；N电极结构包括N型电极与N型焊盘，N型电极与N型焊盘依次层叠于N型半导体层上的N型绝缘层表面，N型绝缘层的中心与N型焊盘的中心重叠，且N型绝缘层的直径大于N型焊盘的直径；P电极结构包括P型电极与P型焊盘，P型电极与P型焊盘依次层叠于P型半导体层上的P型绝缘层表面，P型焊盘的直径大于或小于P型绝缘层的直径。本发明解决了现有技术中因电极结构限制使得发光区发光不充分，导致了LED芯片发光亮度低的技术问题。
主权项：1.一种提升发光亮度的LED芯片，所述LED芯片包括衬底与外延层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，其特征在于，所述LED芯片还包括N电极结构与P电极结构；所述N电极结构包括N型电极与N型焊盘，所述N型电极与所述N型焊盘依次层叠于所述N型半导体层上的N型绝缘层表面，所述N型绝缘层的中心与所述N型焊盘的中心重叠，且所述N型绝缘层的直径大于所述N型焊盘的直径；所述P电极结构包括P型电极与P型焊盘，所述P型电极与所述P型焊盘依次层叠于所述P型半导体层上的P型绝缘层表面，所述P型焊盘的直径大于所述P型绝缘层的直径；其中，透明导电层设于所述P型半导体层之上，环形的电流阻挡层设于所述透明导电层与所述P型半导体层之间，所述P型绝缘层位于所述透明导电层之上，所述P型焊盘的底部环绕所述P型绝缘层的周向与所述透明导电层接触，所述环形的电流阻挡层位于所述P型焊盘环绕所述P型绝缘层的底部，所述P型绝缘层的边缘直径大于所述环形的电流阻挡层的内圈直径，且直径差小于3μm，所述环形的电流阻挡层的外圈直径大于所述P型焊盘的边缘直径，且直径差小于6μm；其中，所述P型焊盘的底部环绕所述P型绝缘层的轴向设置以将所述P型绝缘层包裹，且所述P型焊盘的底面与所述透明导电层相互接触，实现电流向芯片边缘的传导。
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