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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明提供一种用于提高通孔层工艺窗口的光学临近效应修正方法，包括：提供一掩膜版，对版图进行OPC修正以得到第一掩膜版；根据经验，于第一掩膜版的版图四周添加第一SRAF，以得到第二掩膜版；模拟第二掩膜版内版图的轮廓，选出不符合卡控的版图；选出待处理版图；于待处理版图的四周添加第二SRAF；利用第二代价函数进行OPC修正使第二代价函数达到最小值，选出最小的值；确定可选取值范围；在可选取值范围内，选出第三SRAF添加于待处理版图的四周，得到第三掩膜版；模拟第三掩膜版内的待处理版图的轮廓，判断评价参数是否符合预先设定的卡控，对于不符合卡控的待处理版图，重复上述步骤。通过本发明解决了现有的工艺窗口较小的问题。

主权项：1.一种用于提高通孔层工艺窗口的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一掩膜版，并以第一代价函数为评价指标对版图进行N1个循环的OPC修正以得到第一掩膜版；步骤2根据经验，于所述第一掩膜版的版图四周添加第一SRAF，并利用所述第一代价函数为评价指标进行N2个循环的OPC修正，以得到第二掩膜版；步骤3模拟所述第二掩膜版内版图的轮廓，并判断根据轮廓得到的评价参数是否符合预先设定的卡控，以选出不符合卡控的版图；步骤4以不符合卡控的版图为中心确定一风险区域，且处于风险区域内的版图为待处理版图；步骤5于所述待处理版图的四周添加M个不同参数组合的第二SRAF，其中，参数组合内的参数包括长度值、宽度值及偏移量，且所述长度值、所述宽度值及所述偏移量均以预设步长从各自的初始范围内选出；步骤6针对M个不同参数组合的所述第二SRAF，利用第二代价函数进行N3个循环的OPC修正使所述第二代价函数得到M个最小值，并从M个最小值中再选出最小的值；步骤7根据最小的值确定所述长度值、所述宽度值及所述偏移量的可选取值范围，且所述长度值的可选取值范围小于其初始范围、所述宽度值的可选取值范围小于其初始范围，所述偏移量的可选取值范围小于其初始范围；步骤8在各参数的可选取值范围内，选出第三SRAF添加于所述待处理版图的四周，并针对添加的所述第三SRAF，利用所述第二代价函数进行OPC修正，使得所述第二代价函数达到最小值，并确定所述第三SRAF的目标参数，得到第三掩膜版；步骤9模拟所述第三掩膜版内的所述待处理版图的轮廓，并判断根据轮廓得到的所述评价参数是否符合预先设定的卡控，对于不符合卡控的所述待处理版图，重复步骤5～步骤9，此时，步骤5中的所述初始范围为步骤7中的所述可选取值范围；其中，所述评价参数包括边缘放置误差、工艺波动宽度值、掩膜版误差增强因子及归一化图像对数斜率，M、N1、N2、N3为大于0的整数。

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