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申请/专利权人：无锡灿晶微电子科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了半导体掩模版精密对准系统，包括激光数据采集模块、图像数据采集模块、数据处理单元。该半导体掩模版精密对准系统，通过分别计算拟合参考值和相似系数并将拟合参考值和相似系数和对应的阈值进行对比，判定半导体和半导体掩模版是否对齐，当只出现任一一个数值在对应的阈值取值范围内时，则判定需要对半导体位置调整，当更换不同形状大小的半导体掩模版和半导体时，可以根据多点的拟合参考值和相似系数的数值判定是否加工或调整，控制单元根据相应的信号控制半导体加工设备加工或对半导体偏差的位置进行调整，从而减少反复调整的次数，提高调整的效率，缩短校准的时间。

主权项：1.半导体掩模版精密对准系统，其特征在于：包括激光数据采集模块、图像数据采集模块、数据处理单元、数据分析单元以及控制单元构成；所述激光数据采集模块由激光发射单元和激光采集单元构成，所述激光发射单元用于向半导体掩模版以及其表面上放置的半导体射出激光射线，所述激光采集单元用于采集穿透过半导体掩模版以及其表面上放置的半导体的激光射线的位置数据W、激光射线的射入角度数据J以及激光强度数据Q；所述图像数据采集模块用于采集半导体掩模版的边角位置的灰度值YHd、半导体的边角位置的灰度值BHd、半导体掩模版整体灰度特征ZYHd以及半导体整体灰度特征ZBHd；所述激光数据采集模块和图像数据采集模块将采集到的数据发送至数据处理单元中；所述数据处理单元通过激光射线的位置数据W、激光射线的射入角度数据J以及激光强度数据Q计算得出拟合参考值Nh，所述数据处理单元根据半导体掩模版的边角位置的灰度值YHd、半导体的边角位置的灰度值BHd、半导体掩模版整体灰度特征ZYGd以及半导体整体灰度特征ZYGd计算得出相似系数XS，所述数据处理单元将计算得出的拟合参考值Nh和相似系数XS发送至数据分析单元中；所述数据分析单元内预设有拟合参考值阈值Nhyz，所述数据分析单元将拟合参考值阈值Nhyz与拟合参考值Nh对比，判断半导体掩模版以及其表面上放置的半导体是否对齐，当半导体掩模版以及其表面上放置的半导体对齐时，发出对齐信号一，所述数据分析单元预设有相似系数阈值XSyz，所述数据分析单元将相似系数XS与相似系数阈值XSyz对比，判断半导体掩模版以及其表面上放置的半导体的边角图像是否对齐，当半导体掩模版以及其表面上放置的半导体的边角图像对齐时，发出对齐信号二，当对齐信号一和对齐信号二同时出现时，所述数据分析单元向控制单元发出执行操作信号，当出现对齐信号一或对齐信号二，所述数据分析单元向控制单元发出调整半导体信号；所述控制单元用于执行数据分析单元发出的信号。

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