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申请/专利权人：南京信息工程大学
摘要：本发明公开了一种010面β相III族氧化物复合结构及其制备方法，此复合结构包括自下而上依次设置的：上表面以110晶面高Al组分AlGaN结尾的复合衬底101、III族氧化物复合引导层102和010面β相III族氧化物薄膜103。此复合结构以III族氮化物标准制备工艺为基础，解决了当前010面β相氧化物缺乏合适异质外延衬底的问题，为外延生长高质量010晶面III族氧化物结构提供了新的解决方案。
主权项：1.一种010面β相III族氧化物复合结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的：上表面以110晶面高Al组分AlGaN结尾的复合衬底101、III族氧化物复合引导层102和010面β相III族氧化物薄膜103；此处III族氧化物指β相单斜晶系Alx1Ga1-x12O3或Inx2Ga1-x22O3中的一种，其中x1和x2分别表示Al和In元素占III族元素的摩尔比例，当x1或x2为0时，即为Ga2O3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京信息工程大学 (010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法
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